Ha a félvezetõ anyagba 5 vegyértékû (pl. P, As, Sb) adalékot viszünk, majd kristályosítjuk, akkor többlet elektron jelenik meg a kristályban, ami a tiltott sáv diszkrét energiaszintjén helyezkedik el nagyon közel (mintegy 0.01 eV-ra) a vezetési sávhoz. Az ilyen adalékot donornak, a félvezetõt pedig n-típusúnak nevezzük. Szobahõmérsékleten a többlet elektronok nagyon könnyen átkerülhetnek a vezetési sávba, és hozzájárulnak a félvezetõ saját elektromos vezetõképességéhez, esetleg meghatározzák azt. A többlet elektron rekombinálódhat egy lyukkal is, ami csökkenti a lyukak koncentrációját. Az n-típusú félvezetõkben tehát az elektronok a fõ töltéshordozók, míg a lyukak a kisebbségi töltéshordozók.
    Ha a félvezetõ anyagba 3 vegyértékû (pl. B, Al, Ga, In) adalékot viszünk, majd kristályosítjuk, akkor elektron hiány, vagyis többlet lyuk jelenik meg a kristályban, ami a tiltott sáv diszkrét energiaszintjén helyezkedik el ebben az esetben nagyon közel a vegyértéksávhoz. Az ilyen adalékot akceptornak, a félvezetõt pedig p-típusúnak nevezzük. Szobahõmérsékleten a vegyértéksávban lévõ elektronok könnyen átkerülhetnek ezekre az energiaszintekre, és a keletkezõ lyukak hozzájárulnak a félvezetõ saját elektromos vezetõképességéhez. A többlet lyuk rekombinálódhat egy elektronnal, ami csökkenti a szabad elektronok koncentrációját. A p-típusú félvezetõkben tehát az elektronok a kisebbségi töltéshordozók, míg a lyukak a fõ töltéshordozók.

    Ha mindkét fajta adalék jelen van a kristályban, akkor hatásuk összeadódik. A félvezetõ típusát ilyenkor az adalékok koncentrációjának a különbsége határozza meg. Egyenlõ koncentrációk esetén a vezetõképesség kompenzációja történik, amikor a kristály a saját vezetésû félvezetõkre emlékeztet. A koncentrációkat kiterjedt térrészben nehéz kiegyenlíteni, amit általában vákuumpárologtatással és diffúzióval valósítanak meg. Ezen az eljáráson alapult a Ge(Li) félvezetõ detektorok (lítiummal driftelt p-típusú Ge félvezetõk) elõállítása a hatvanas-nyolcvanas években.
    Az erõsen doppolt félvezetõk elektromos vezetõképessége nagy, így kontaktusok, Ohmos csatlakozók elkészítésénél hoznak létre ilyen rétegeket. Ezen félvezetõket p⁺- vagy n⁺-típusúaknak nevezzük.